1、概述

       砷化镓 （Gallium Arsenide）一种III-V族直接带隙半导体材料，在受到光子激发时，可以吸收特定波长的光子，吸收光子的波长与砷化镓材料的禁带宽度相关。在特定的范围内，砷化镓的禁带宽度值与温度相关，因此可通过分析吸收光子的波长变化来获得温度信息，实现对温度的测量。

 2、工作原理

        将砷化镓晶片一面制作反射镜，温度解调仪发射宽谱光，光经过光纤到达砷化镓晶片后，砷化镓晶片吸收一部分特定波长的光其余透射，透射光被反射镜返回到光纤，后被温度解调仪接收解析，可得到砷化镓晶片位置的环境温度。

3、 产品优势

Ø  传感器为全介质，对电磁干扰本质免疫。

Ø  无导体结构，性能稳定，可靠性高，使用寿命大于 30年。

Ø  传感器采用125um石英光纤，弯曲半径可小至 10mm，柔性好，安装过程中不易受损。

Ø  传感器通过权威检测机构的检测，传感器端部和光缆，工频耐压最小值为：≥10.8kV/mm（60Hz）；负 雷 电 冲 击 耐 压 最 小 值 为 ： ≥ 2 2 k V / m m（1.2*50us），为世界领先的检测数据。

Ø  传感器长度可达1000米，不影响测量精度，适应性强。

Ø  测温芯片（砷化镓芯片）基于微纳米加工工艺，一致性高，传感器不受互换性的技术问题制约。

        Ø  设备基于光谱分析，不受光源劣化、光纤弯折强度等相关参量变化影响。